产品介绍：

专门为电子束敏感样品和需300万倍稳定观察的半导体器件，高分辨成像所设计。

产品特点：

• 新的电子枪和电子光学设计提高了低加速电压性能。
  0.4 nm / 30 kV (SE)
  1.2 nm / 1 kV (SE)
  0.34 nm / 30 kV (STEM)

• 用改良的高真空性能和的电子束稳定性来实现高效率截面观察。

• 采用全新设计的Super E x B能量过滤技术，高效，灵活地收集SE / BSE/ STEM信号